특히 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했으며, 중국의 글로벌 전기차 기업에 직접 설계한 ‘Si SJ MOSFET’을 공급한 실적도 보유하고 있다.
산화갈륨(Ga2O3)은 기존 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN)보다 넓은 밴드갭을 가지고 있어, 고전력 환경에서도 효율적으로 작동할 수 있는 특성을 지닌 차세대 전력반도체의 핵심 소재로 주목받고 있다.
강태영 파워큐브세미 대표이사는 “이번 예비심사를 계기로 파워큐브세미의 성장이 본격화될 것으로 기대한다”며 “저전력·고효율이 핵심인 반도체 산업에서 핵심 기술 경쟁력을 갖춘 기업으로 거듭나겠다”고 전했다.
향후 파워큐브세미는 반도체 소자 설계를 넘어 제조 공정까지 내재화함으로써 성능과 가격에서 모두 경쟁력을 확보하고, 글로벌 시장에서 에너지 효율 혁신을 이끄는 핵심 기업으로 성장해 나갈 계획이다.









