한화운용 'PLUS 글로벌HBM반도체' ETF, 3년 수익률 676%…반도체 ETF 1위

주식

이데일리,

2026년 5월 21일, 오후 02:57

[이데일리 박순엽 기자] 한화자산운용의 ‘PLUS 글로벌HBM반도체’ 상장지수펀드(ETF)가 글로벌 메모리 반도체 밸류체인에 집중 투자하는 전략을 바탕으로 국내 반도체 ETF 시장에서 두드러진 성과를 내고 있다.

한화자산운용은 ‘PLUS 글로벌HBM반도체’ ETF가 고대역폭메모리(HBM)와 D램, 낸드, 메모리 장비로 이어지는 글로벌 메모리 반도체 밸류체인 전반에 분산 투자하며 차별화된 성과를 이어가고 있다고 21일 밝혔다.

(사진=한화자산운용)
Fn스펙트럼에 따르면 지난 20일 기준 국내 반도체 투자 ETF 가운데 최근 3년 누적 수익률이 500%를 넘은 상품은 레버리지·인버스 상품을 제외하고 3개다. 이 가운데 ‘PLUS 글로벌HBM반도체’ ETF는 676.67%의 수익률을 기록해 가장 높은 성과를 냈다.

주요 편입 종목들의 주가 강세가 수익률을 끌어올렸다. 최근 3개월간 SK하이닉스(000660)는 92.9%, 삼성전자(005930)는 54.0%, 마이크론은 71.0%, 샌디스크는 114.2% 상승했다. 최근 1년 기준으로는 SK하이닉스 812.2%, 삼성전자 427.8%, 마이크론 646.2%, 샌디스크 3365.8%의 상승률을 기록했다.

이 ETF의 핵심 편입 종목은 글로벌 메모리 3사인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이다. 이들 종목이 전체 포트폴리오의 약 75~80%를 차지한다. 여기에 최근 5월 정기 리밸런싱을 통해 투자 범위를 넓혔다. 샌디스크를 신규 편입해 낸드 익스포저를 강화했고, 테라다인과 테크윙(089030) 등 메모리 테스트·후공정 장비주도 담았다. 메모리 설비투자 확대 국면의 수혜를 함께 노리겠다는 전략이다.

특히 낸드 비중 확대가 눈에 띈다. 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 한정된 팹 자원과 설비투자를 수익성이 높은 HBM·D램에 우선 배분하면서 낸드 웨이퍼 투입량을 줄이고 있다고 보고 있다. 미국의 대중 수출 통제로 중국 내 낸드 라인 증설과 업그레이드가 제약을 받는 점도 단기간 공급 확대를 어렵게 하는 요인으로 꼽힌다.

이에 따라 낸드 사업 비중이 큰 샌디스크 등 전문 업체가 가격 상승과 점유율 확대의 수혜를 상대적으로 크게 누릴 수 있다는 분석이 나온다. 낸드 가격 상승이 실적 레버리지로 직결될 수 있고, 데이터센터 고객사 입장에서도 안정적인 낸드 공급선을 확보할 필요성이 커지고 있기 때문이다.

연금계좌를 통한 투자도 가능하다. 개인형퇴직연금(IRP)과 연금저축계좌를 통해 해당 ETF에 투자할 경우 과세이연 효과를 기대할 수 있다. 55세 이후 연금으로 수령하면 연금소득세 3.3~5.5%가 적용돼 일반 과세 대비 절세 효과를 누릴 수 있다.

금정섭 한화자산운용 ETF사업본부장은 “AI 인프라 투자가 GPU 중심에서 HBM, 서버 D램, 데이터센터 낸드로 확산되고 있다”며 “PLUS 글로벌HBM반도체 ETF는 HBM·D램 중심에서 낸드와 메모리 장비까지 투자 범위를 확장해 AI가 견인하는 메모리 슈퍼사이클 전 국면을 한 상품으로 담아낼 수 있도록 설계됐다”고 말했다.

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