삼성전자 HBM4 다이. (사진=삼성전자, 미래에셋증권)
김 연구원은 최근 낸드플래시 업체인 키옥시아, 샌디스크, 솔리다임 등이 대만 D램 업체 난야의 유상증자에 참여하고 장기 D램 공급계약을 체결한 사례에 주목했다.
김 연구원은 “고성능 데이터 저장장치(SSD)에는 낸드플래시뿐 아니라 D램도 함께 사용된다”며 “최근 D램 공급 부족이 이어지면서 SSD용 D램 확보가 중요해지고 있어 D램과 낸드를 동시에 생산할 수 있는 업체 경쟁력이 부각하고 있다”고 설명했다.
고대역폭메모리(HBM) 시장에서도 삼성전자의 강점이 두드러진다는 평가다. 그는 “HBM4부터는 핵심 부품인 베이스다이에 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 적용이 필요해졌는데, 삼성전자는 자체 파운드리 사업을 통해 이를 내재화했다”고 했다.
이어 “경쟁사들이 기존 D램 공정을 활용하거나 외부 파운드리에 의존하는 것과 달리 삼성전자는 4나노미터(nm) 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 베이스다이 내재화를 완료했다”며 “HBM4E와 HBM5로 진화할수록 이러한 경쟁 우위가 더욱 부각할 것”이라고 분석했다.
실적 성장과 주주환원 확대도 투자 매력으로 꼽았다. 미래에셋증권은 삼성전자의 영업이익이 올해 2분기 98조원, 내년 395조원, 2028년 529조원까지 증가할 것으로 전망했다.
김 연구원은 “주가는 크게 상승했지만 이익 성장성과 자기자본이익률(ROE)을 고려한 밸류에이션은 여전히 업종 최저 수준”이라며 “단기적으로는 실적과 주주환원, 중장기적으로는 풀스택 메모리 제조 역량에 대한 프리미엄이 반영될 필요가 있다”고 말했다.









