중국 반도체 굴기 ‘창신메모리’ 상장…삼전·하닉 투심 영향은

주식

이데일리,

2026년 7월 28일, 오후 03:04

[이데일리 권오석 기자] 중국의 메모리 반도체 회사인 ‘창신메모리테크놀로지’(CXMT·이하 창신메모리)가 상장 직후 중국 시가총액 1위로 직행, 글로벌 D램 판도가 바뀔 수 있다는 경계심이 커지면서 국내 투자심리가 급격히 얼어붙었다. 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)의 D램 과점 체제가 무너질 수 있다는 우려에 더해, 중국이 심자외선(DUV) 노광장비를 양산하기 시작했다는 소식까지 나오면서 기술 추격 가능성 등 시장이 불안에 떠는 모습이다. 다만 증권가는 단기적으로 반도체주(株) 투자심리에 부담을 줄 수 있겠지만 중장기 구도에서는 삼성전자·SK하이닉스가 우위를 유지할 것이라고 진단한다.

CXMT 본사. (사진=AFP)
CXMT 본사. (사진=AFP)
28일 엠피닥터 등에 따르면 창신메모리는 전날(27일) 중국판 나스닥인 과창판에 처음 상장해 시가보다 465.82% 오른 49.0위안(한화 약 1만 637원)에 거래를 마쳤다. 당시 시가총액은 3조 2800억위안(약 712조원)으로 집계됐다.

중국 현지 매체들은 창신메모리가 상장 후 인텔 시가총액(약 684조원)을 넘어섰다고도 보도했다. 같은날 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)의 시가총액은 각각 약 1485조원, 1294조원을 기록했는데 창신메모리는 상장 첫날부터 이들의 절반 수준까지 오른 것이다. 다만 이날 오후 2시 11분 기준으로는 전 거래일 대비 2.25% 내린 47.90위안을 기록, 전날 급등에 따른 피로감 때문인지 숨고르기 양상을 보이고 있다.

창신메모리는 우리나라의 삼성전자·SK하이닉스와 미국의 마이크론에 이어 D램 분야 세계 4위의 업체다. 올해 상반기 매출과 순이익은 각각 최대 1200억위안(약 26조원), 750억위안(약 16조 3000억원)을 달성할 것으로 회사 측은 예상한다. 특히 시장에서는 창신메모리가 이번 상장으로 마련한 자금으로 기반으로 기술력을 높여 빅3를 위협할 수 있다고 보고 있다.

이와 함께 중국이 DUV 노광장비 양산을 시작했다는 소식도 악재로 작용했다. 앞서 블룸버그는 상하이에 본사를 둔 국영기업이 액침 DUV 노광장비 생산을 시작했다고 보도했다. 다만 해당 기업의 이름은 사안의 민감성으로 공개하지 않았다.

DUV는 빛을 이용해 웨이퍼 위에 매우 작은 회로를 새기는 노광장비다. 더 작은 회로를 만들고 공정 수도 줄어드는 극자외선(EUV) 장비보다는 기술 수준은 낮지만 광범위하게 사용되는 설비다. 노광장비가 중국 반도체 산업의 최대 병목으로 지목돼 온 만큼, 중국이 해당 기술을 확보하면 증설 능력이 오를 수 있어 글로벌 메모리 경쟁이 치열해질 수 있다는 우려가 나오는 것이다.

그럼에도 증권가는 섣부른 비관론에는 선을 긋고 있다. 김동원 KB증권 리서치본부장은 “중국 정부의 AI 굴기에 힘입어 중국 내 메모리 수요 증가량이 공급 증가량을 상회, 과잉 공급된 메모리가 중국 시장 밖까지 영향을 끼칠 가능성은 제한적일 것으로 판단한다”고 했다.

그러면서 “삼성전자와 SK하이닉스는 미국 빅테크 업체향 장기공급계약(LTA)을 중심으로 AI 서버향 비중이 가파르게 증가하고 있어 창신메모리와 주력 고객층이 충돌하지 않을 것”이라고 내다봤다.

DUV와 관련해서 한지영 키움증권 연구원은 “제조업체 이름, 성능이 정확히 공개되지 않았다. 초기 물량이 5대, 2027년에는 20대에 불과한 것으로 알려진 만큼 올해 130대를 목표로 제시한 ASML의 생산능력이 여전히 우위에 있다”며 “7월 이후 반도체주가 급격한 조정을 겪으면서 투자심리가 취약해지다 보니 중국 DUV 장비 생산 뉴스에도 민감하게 반응하고 있는 것”이라고 설명했다.

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