그는 “NAND(낸드) 메모리 반도체는 적층 단수가 높아질수록 식각(Etching) 공정의 횟수가 증가하고 난도 역시 높아져 그 과정에서 소모되는 SiC(탄화규소) 포커스링 사용량도 함께 증가한다”며 “현재 NAND 메모리 시장은 8세대(236단)에서 9세대(286단)로 전환하는 국면에 진입했으며 장기적으로는 1000단 로드맵이 제시돼 있어 티씨케이의 SiC 수요는 단순한 업황 회복을 넘어선 구조적 성장 동인을 확보한 것으로 분석된다”고 했다.
앞서 언급한 구조적 성장은 이미 실적과 수주로 확인되고 있다. 티씨케이의 상반기 매출은 1903억원으로 전년 대비 26% 증가했고 SiC 수주잔고 역시 1분기 819억원 에서 2분기 1763억원으로 한 분기 만에 115% 급증했다.
이 센터장은 “HBM(고대역폭메모리)은 다수의 D램을 수직으로 쌓아 TSV(실리콘관통전극)로 연결하는데 적층 단수가 12단, 16단으로 높아질수록 홀을 뚫는 TSV 식각 공정 난도가 심화된다”며 “공정환경이 가혹해지면 사용되는 포커스링의 소재도 기존 쿼츠(석영)에서 고온·플라즈마 내성이 우수한 SiC로 전환될 것으로 예상된다”고 분석했다.
그러면서 “D램 영역에서는 SiC 포커스링 침투가 NAND 대비 제한적이었으나 HBM4를 기점으로 티씨케이의 전방 시장이 HBM까지 확장될 가능성이 논의 되고 있어 시장 관심도가 높아지고 있다”고 부연했다.
아울러 “티씨케이는 글로벌 1위의 SiC 포커스링 기업으로 램리서치, TEL, 세메스, AMEC 등 글로벌 장비 기업들을 핵심 고객으로 두고있다. 주요 고객은 주로 미국, 일본, 한국 기업이었지만 AMEC 이후 중국 기업들과의 공급계약이 확대되고 있다”고 덧붙였다.
