[이데일리 공지유 기자] 삼성전자가 미국 텍사스 테일러 반도체 위탁생산(파운드리)가 본격 가동을 앞두고 장비 반입 행사를 열고 주요 반도체 장비 기업 경영진들을 대거 초대한다. 3나노(1㎚=10억분의 1m) 이하 미세공정 인력도 투입하며 조기 양산에 드라이브를 걸고 있다.

16일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 24일 테일러 공장에서 주요 장비 반입식을 열 예정이다. 행사에는 한진만 파운드리 부문 사장을 비롯한 삼성전자 핵심 경영진들이 참석한다. 게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 최고경영자(CEO), 크리스토프 푸케 ASML CEO, 팀 아처 램리서치 CEO 등 주요 반도체 장비사 경영진들도 참석할 예정이다.

삼성전자가 이처럼 대규모 행사를 여는 건 테일러 팹이 양산을 앞두고 극자외선(EUV) 노광 장비 테스트를 시작하는 등 주요 장비의 본격적인 반입에 나섰기 때문이다. 삼성전자는 테일러 팹에 3나노 이하 인력을 추가 투입하면서 조기 양산에 속도를 내고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자 테일러 팹은 370억달러(약 55조원)를 투입한 미국 파운드리 생산 거점이다. 삼성전자는 인공지능(AI) 및 고성능 컴퓨팅 수요에 대응하기 위해 2나노 등 최첨단 공정으로 주요 빅테크를 공략한다는 계획이다. 삼성전자는 테슬라의 차세대 AI칩인 ‘AI5’와 ‘AI6’ 수주를 따냈는데, 테일러 공장을 앞세워 테슬라 칩 생산에 역량을 집중한다는 계획이다. 일론 머스크 테슬라 CEO는 전날 자신의 X를 통해 “AI5 설계를 완료했다”며 삼성에 감사를 표한 바 있다.

업계에서는 삼성전자 테일러 팹에서 테슬라 칩의 양산이 성공적으로 이뤄질 경우, 향후 주요 빅테크들로부터 더 많은 일감을 확보할 수 있을 것으로 보고 있다. 글로벌 AI 반도체 수요가 급증하면서 세계 최대 파운드리 기업 TSMC의 최선단 공정은 사실상 포화 상태인 가운데, 삼성전자가 안정적인 수율을 확보할 경우 새로운 대안처로 떠오를 수 있다는 관측이 나오고 있다.

삼성전자는 게이트올어라운드(GAA)를 적용한 2㎚ 기반 초미세 공정을 승부수로 내세우고 있다. 3나노 공정부터 GAA 기술을 적용해온 만큼, 기술 안정화를 통해 2㎚에서 점유율 확대를 노린다는 구상이다.