[이데일리 공지유 기자] 올해 삼성전자와 SK하이닉스의 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산이 본격화한 데 이어, 7세대 HBM4E 개발에도 속도를 내면서 기술 선점 경쟁에 나서고 있다.

19일 업계에 따르면 삼성전자는 다음달 중 HBM4E 첫 샘플 생산을 목표로 제품 개발에 한창이다. HBM4E는 HBM 최대 고객사인 엔비디아가 내년 하반기 내놓을 차세대 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈 울트라’에 탑재될 제품으로, 내년 중 양산이 본격화할 예정이다.

삼성전자는 앞서 올해 하반기 출시되는 베라 루빈에 탑재되는 HBM4를 세계 처음으로 양산 출하했다. 삼성전자의 HBM4 제품은 자사 반도체 위탁생산(파운드리) 사업부의 4나노 로직 다이를 채택했으며, D램 공정 역시 최선단 수준인 10나노급 6세대(1c)를 적용했다.

삼성전자는 차세대 HBM인 HBM4E에서도 앞서나가기 위해 가장 먼저 샘플 출하에 나서겠다는 계획이다. 삼성전자는 지난달 엔비디아의 연례 개발자회의 GTC 2026에서 HBM4E 제품을 공개했다. 제품은 초당 16기가비트(Gbps)의 데이터 전송 속도와 초당 최대 4.0테라바이트(TB)의 대역폭을 구현할 수 있는 성능을 제시했다.

SK하이닉스 역시 HBM4E 성능 개선에 초점을 맞추고 개발에 속도를 내고 있다. 올해 양산 경쟁이 본격화한 HBM4 시장에서는 삼성전자의 제품 성능이 더 앞섰다는 평가를 받고 있는 상황에서, 차세대 제품에서 성능 우위를 확보하기 위해 고심하고 있는 것으로 알려졌다. 샘플 출하 역시 연내 완료한다는 계획이다.

SK하이닉스는 이를 위해 HBM4E의 로직 다이에 TSMC의 3나노 공정을 적용하는 방안을 최우선으로 고려하고 있는 것으로 알려졌다. HBM 하단에서 두뇌 역할을 맡는 로직 다이 경쟁에서 뒤지지 않겠다는 의지로 풀이된다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4에서는 로직 다이에 TSMC의 12나노 공정을 채택했다.

엔비디아뿐 아니라 AMD 등 글로벌 주요 기업들이 차세대 AI 가속기에 HBM4E를 탑재하기로 하면서 삼성전자와 SK하이닉스의 성능 경쟁이 더 치열해질 것으로 보인다. 반도체 업계 관계자는 “양사 모두 차세대 HBM 개발에 속도를 내면서 경쟁이 더 이른 시점에 본격화할 것으로 보인다”고 말했다.