DB하이텍 부천캠퍼스. (사진=DB하이텍)
DB하이텍은 이번 전시에서 차세대 전력반도체로 주목받는 SiC(실리콘카바이드) 및 GaN(갈륨나이트라이드) 공정의 최신 개발 현황을 공유하고, 업계 최고 수준의 기술력을 확보한 BCDMOS(복합전압소자) 공정을 중심으로 기술을 선보일 예정이다. 반도체·전자 분야 시장조사기관 욜 디벨롭먼트에 따르면, 글로벌 SiC 및 GaN 전력반도체 시장은 빠른 성장세를 보일 것으로 전망된다. SiC 시장은 올해 약 48억 달러에서 2030년 약 104억 달러로 확대돼 연평균 약 21% 성장률이 전망된다. 같은 기간 GaN 시장도 9억 달러 규모에서 약 29억 달러로 확대되며, 연평균 약 33% 성장할 것으로 관측된다.
DB하이텍은 지난해 12월 SiC 및 GaN 공정 기반 MPW(Multi-Project Wafer)를 진행해 각 10개 이상의 고객사 제품을 생산했고, 생산분은 올해 3~4월 고객사에 전달했다. 현재 고객 평가가 진행 중인 상황이며, 이를 반영해 최종 공정을 확보할 계획이다. SiC 및 GaN 공정은 내년부터 본격적인 양산을 시작할 예정이다.









