[이데일리 공지유 기자] 삼성전자가 이달 말 미국과 7월 국내에서 반도체 위탁생산(파운드리) 생태계를 강화하기 위한 포럼을 개최한다. 2나노(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 기반으로 테슬라 등 주요 빅테크 고객들 제품 양산을 앞두고 있는 가운데, 올해 행사에서 새로운 전략을 내놓을지 관심이 모인다.

5일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 이달 28일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에 있는 삼성 반도체 캠퍼스에서 ‘세이프 포럼 2026(SAFE Forum 2026)’을 개최한다. 이후 7월 1일 서울 서초구 삼성전자 서초사옥에서도 비공개로 세이프 포럼을 진행할 예정이다.

삼성전자는 행사에서 파운드리 기술 로드맵과 인공지능(AI) 반도체 생태계 강화 전략 등을 발표하고 이를 파트너사 및 고객과 공유할 예정이다. 미국에서 열리는 포럼에서는 신종신 파운드리 디자인 플랫폼 개발실장 부사장이 사업 현황에 대해 발표한다. 또 테슬라, 시놉시스, 퀄컴 등 주요 파트너사 관계자들이 참석해 강연을 진행한다.

앞서 삼성전자는 지난해 열린 세이프 포럼에서 1.4나노 공정 도입 시점을 기존 2027년에서 2029년으로 2년 연기하겠다고 밝혔다. 무리하게 초미세 공정을 도입하기보다는 2나노 공정의 수율 안정화를 통해 수익성 확보에 집중하겠다는 것이었다. 그러면서 2나노 3세대(SF2P+) 공정 등 차세대 기술을 소개한 바 있다.

삼성전자는 올해 하반기부터 2나노 2세대(SF2P) 공정으로 칩 양산을 시작하며, 내년에 가동할 SF2P+의 개발에도 속도를 내고 있다. 삼성전자는 3나노 공정부터 축적해온 게이트올어라운드(GAA) 기술을 2나노에 적용해 기술 안정성을 높이겠다는 구상이다.

삼성전자는 테슬라와의 AI 칩 협력을 강화하면서 적자 탈출에 시동을 걸고 있는 상황이다. 지난해 7월 테슬라의 차세대 AI칩인 ‘AI6’ 수주를 공식화했으며, ‘AI5’ 칩과 ‘AI4’ 업그레이드 버전의 생산도 맡기로 했다. AI5와 AI6에는 테슬라 전용 커스텀 파운드리 공정인 SF2T가 적용된다. 미국 테일러팹에서 내년부터 제품 양산을 개시할 것으로 보인다.

TSMC 등 경쟁사가 내년부터 1나노급 초미세 공정 양산을 본격화한 상황에서, 삼성전자는 2나노에 집중하고 있는 만큼 양사의 공정 로드맵이 내년부터 크게 달라질 것으로 보인다. 업계에서는 이달 열리는 세이프 포럼에서 새로운 2나노 공정과 함께 1나노 등 초미세 공정에 대한 구체적인 전략이 발표될 것이라는 전망이 나온다.