[이데일리 공지유 기자] SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 가속기용 초고성능 D램 신제품인 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급한다. 그동안 축적해온 HBM 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 차세대 제품 공급에 속도를 낸다는 계획이다.

이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 초당 16기가비트(Gbps)의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해, AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다.

또 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다. 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.

SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 매스 리플로우 몰디드 언더필(MR-MU) 공정을 적용해 12단 적층 기준 48기가바이트(GB) 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다. 특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 고객 요구에 최적화된 메모리 설루션을 적기에 제공해왔다고 설명했다. HBM4E에서도 AI 시스템의 병목을 고객과 함께 해소하며 차세대 인프라 구현을 지원해 나갈 계획이다.

안현 SK하이닉스개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다”며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.