(그래픽=김일환 기자)
삼성전자는 지난달 29일 정부의 3대 메가 프로젝트 국민보고회에서 국내 반도체 생산 거점인 평택캠퍼스와 용인 국가산업단지를 비롯한 반도체 클러스터 육성에 2030조원을 투자할 방침이라고 밝혔다. 그러면서 용인 국가산단에 들어설 6기 팹의 완공 시점을 2047년에서 2040년으로 7년 앞당겼다. 이에 첫 번째 팹의 가동 시점도 빨라진 것으로 보인다.
경기도 평택시 삼성전자 평택캠퍼스 5공장(P5) 건설 현장.(사진=연합뉴스)
빅테크 기업들의 주문도 끊이지 않고 있다. 삼성전자는 엔비디아가 하반기 출시하는 차세대 AI 가속기 ‘베라 루빈’에 6세대 HBM4를 탑재하며, 7세대 HBM4E 샘플 공급을 시작했다. 베라 루빈에 탑재될 eSSD 양산에도 돌입하며 수요 대응에 나섰다. 빅테크 기업들이 수급 불균형에 대비하기 위해 삼성전자 등 메모리 반도체 기업과 3~5년 단위의 장기공급계약(LTA)을 맺는 관행도 확산하고 있다. 공장을 빠르게 가동할 만한 중장기적인 수요가 확보된 것이다.
삼성전자는 용인뿐 아니라 기존 생산기지인 평택캠퍼스의 생산능력 역시 확대하고 있다. 평택 4공장(P4)은 당초 계획보다 6개월 앞당겨 연내 완전 가동을 시작할 예정이다. 업황 침체로 중단했던 P5 공장 생산능력 확충에도 속도를 내고 있다. 평택 P5는 2028년 가동을 목표로 하고 있다. 서남권에는 400조원을 투자해 반도체 공장 2기를 새로 짓는다.
SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 예상 조감도.(사진=SK하이닉스)
용인 클러스터에는 총 600조원을 투입해 반도체 팹 4기를 건설한다. 당초 2045년까지로 잡았던 전체 팹 완공 시점은 2033년으로 12년 앞당겼다. SK하이닉스 역시 서남권에 400조원을 투자해 반도체 공장 2기를 추가로 건설한다는 계획이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 이를 통해 5년 내 반도체 생산능력을 두 배 이상 확대한다는 복안이다.
국내뿐 아니라 미국 내 생산기지를 확충할 가능성도 있다. 미국이 메모리 반도체 공급망을 자국 중심으로 재편하는 가운데, 삼성전자와 SK하이닉스에도 생산 시설 건설에 대한 압박 수위를 높일 수 있다는 관측이 나오고 있기 때문이다. 삼성전자는 미국 내 반도체 위탁생산(파운드리) 공장을, SK하이닉스는 패키징 등 후공정 시설을 중심으로 현지 거점을 구축하고 있다.
미국 마이크론도 미국과 일본을 중심으로 생산시설 투자를 확대하고 있다. 마이크론은 일본 히로시마 공장에 1조5000억엔(약 14조원)을 투자해 첨단 D램과 차세대 HBM 생산시설을 구축하고 있다. 마이크론은 미국 내 생산기지 및 연구개발(R&D) 시설에도 2035년까지 2500억달러(약 376조원) 이상을 투자할 계획이다. 기존 2000억달러였던 투자 계획을 500억달러 추가로 확대했다.
업계 한 관계자는 “첨단 반도체 공장은 건설부터 실제 양산까지 수년이 걸리기 때문에 선제적인 투자가 무엇보다 중요하다”며 “누가 더 빨리 안정적인 생산능력을 확보하느냐가 시장 주도권을 결정할 것”이라고 말했다.
