[이데일리 김소연 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 최대 메모리·스토리지 전문 콘퍼런스인 ‘FMS 2026’에서 인공지능(AI) 메모리 병목을 해결할 차세대 기술을 대거 선보인다. AI 추론 시장이 빠르게 확대되면서 처리해야 할 데이터가 급증하는 만큼, 대역폭과 용량 확장성을 동시에 갖춘 차세대 AI 메모리 기술 경쟁도 본격화하는 모습이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 FMS 2026에 참가해 차세대 AI 메모리 기술과 전략을 공개한다. 두 회사는 기조연설과 패널 토의, 전시 등을 통해 AI 시대에 필요한 메모리 인프라 청사진을 제시할 예정이다.

SK하이닉스는 4일 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 공개했다. HBF는 고대역폭메모리(HBM)와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM 수준의 높은 데이터 처리 속도를 제공하면서도 낸드플래시 기반으로 용량을 크게 확대할 수 있는 것이 특징이다.

HBF와 프로세서를 연결하는 인터페이스로는 업계 표준인 칩렛 연결 인터페이스(UCIe)를 채택했다. 이를 통해 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU) 등 다양한 프로세서와 HBF를 유연하게 연결할 수 있도록 했다. 이번 표준 규격은 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 협력체인 OCP(Open Compute Project)를 통해 공개됐다. 업계가 공동으로 활용할 수 있는 개방형 표준을 마련해 AI 스토리지 생태계 확대에 속도를 낸다는 전략이다. 현재 HBF 컨소시엄에는 구글과 텐스토렌트 등이 참여하고 있다.

이날 SK하이닉스 김천성 솔루션개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당은 공동 기조연설에 나선다. 발표 주제는 ‘AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안’이다. 두 발표자는 AI 데이터 병목을 해결하기 위한 핵심 전략으로 ‘계층형 메모리 시스템’을 제시한다. 연산처리장치(xPU)의 3D 스택 D램, HBF, 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 메모리 풀링 등을 결합해 메모리 계층을 구성하는 방안을 소개할 예정이다.

삼성전자도 AI 시대를 겨냥한 차세대 메모리 기술을 공개한다. 이진엽 부사장과 김경륜 상무는 기조연설을 통해 AI 시대에 요구되는 차세대 메모리와 스토리지 전략을 발표한다. 삼성전자는 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 바탕으로 AI 인프라의 병목을 줄이고 확장성을 높이는 통합 솔루션을 제시한다.

삼성전자는 이번 FMS에서 z낸드에 이어 차세대 3차원(3D) 적층 메모리 아키텍처인 zHBM을 선보인다. zHBM은 기존처럼 GPU 옆에 배치하는 방식이 아니라 GPU 위에 메모리를 직접 적층하는 3D 구조다. 이를 구현하려면 설계부터 파운드리, D램, 첨단 패키징 기술이 유기적으로 결합돼야 하는 만큼, 삼성전자는 IDM 경쟁력을 앞세워 차세대 HBM 시장을 선도하겠다는 구상이다.

SK하이닉스는 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품도 처음 공개한다. 375단 4D 낸드는 이전 세대 대비 전력 효율을 2.5배 높인 것이 특징으로, 회사는 내년 초 이를 적용한 고성능·고용량 기업용 SSD(eSSD) 양산에 들어갈 계획이다.