삼성전자는 FMS 2026에서 약 20평의 규모의 최대 전시 공간을 마련하고, AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보였다고 5일 밝혔다. 전시 공간에 D램부터 낸드플래시, 스토리지에 이르는 폭넓은 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시해 AI 메모리 핵심 기술과 고객 맞춤형 솔루션을 소개했다.
행사 첫날인 4일(현지시간) 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 ‘AI 혁명을 이끄는 3D 메모리 및 스토리지 아키텍처의 혁신’을 주제로 기조연설을 진행했다. 이들은 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 AI 메모리 병목을 해결할 수 있는 해법으로 제시했다. AI 시스템의 성능과 전력 효율을 극대화할 기술 비전이다. 특히 기조연설에서 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개하며, 차세대 NAND 기술 경쟁력을 강조했다.
고성능컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라의 확산으로 고용량·고대역폭 메모리에 대한 요구 수준이 높아지면서, 기존 HBM만으로는 향후 요구되는 수준의 성능을 구현하는 데 한계가 있다.
삼성전자 V10 BV-NAND 제품 (사진=삼성전자)
AI 추론 시장이 빠르게 확대되면서 처리해야 할 데이터가 급증하는 만큼, 대역폭과 용량 확장성을 동시에 갖춘 차세대 AI 메모리 기술 경쟁도 본격화하는 모습이다.
zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. zHBM은 고객 맞춤형 설계가 가능한 3D 메모리 솔루션이다. 고객과의 협업을 바탕으로 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 추진해 zHBM의 성능을 극대화할 계획이다.
삼성전자는 낸드에서도 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했다. zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 NAND 플래시 솔루션이다. 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다. 제품명 끝의 ‘-O’는 온디바이스 AI 환경에 최적화된 제품임을 뜻한다.
전시에서 삼성전자는 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-NAND ‘V10 BV-NAND’를 공개했다. 13년 전 같은 행사에서 세계 최초로 V-NAND 기술을 발표한 이래 기술 혁신의 성과다.
V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높였다. 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 향상시켜 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.
아울러 △HBM4E △HBM5 △LPDDR5X-PIM △PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 1c D램과 4나노 베이스 다이 기술을 적용한 HBM4를 양산 출하, 5월에 HBM4E 샘플을 세계 최초로 고객사에 공급하는 등 차세대 HBM 시장을 선도하기 위한 기술 경쟁력을 지속 강화하고 있다. 이번 행사에서 HBM4E가 적용된 차세대 AI 플랫폼과 웨이퍼를 전시했고, 신규 열관리 기술인 HPB(Heat Path Block)를 적용해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 HBM5 목업을 공개했다.
LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 최적화하고 전력효율을 향상시킨 차세대 메모리 제품이다.
삼성전자는 메모리, 로직, 파운드리, 패키징을 아우르는 종합반도체(IDM) 기업이다. 회사는 차세대 메모리 기술 혁신과 원스톱솔루션을 제공할 수 있는 반도체 기업으로서 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 강화한다는 방침이다.
