[이데일리 최오현 기자] 삼성전자가 글로벌 메모리 기술 콘퍼런스 ‘FMS 2026’에서 차세대 낸드플래시와 인공지능(AI) 메모리 기술력을 인정 받았다.

삼성전자는 FMS 2026 첫날 열린 ‘베스트 오브 쇼 어워즈’에서 V10 BV-낸드로 ‘3D&낸드 혁신상’을, LPDDR5X-PIM으로 ‘차세대 메모리 상’을 각각 수상했다고 6일 밝혔다.

V10 BV-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현한 차세대 V낸드 기술이다. 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 AI 확산에 따라 급증하는 데이터 저장 수요에 대응할 핵심 기술로 평가된다.

삼성전자는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 ‘BV(Bonding Vertical) 기술’과 V낸드 셀을 3개 층으로 나눠 연결하는 ‘3스택 기술’을 결합해 초고적층 구조를 구현했다. 전력 소비와 발열을 줄이는 동시에 성능과 운영 효율을 높였다.

넥스트젠 메모리 어워드를 수상한 LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 저전력 D램인 LPDDR5X에 PIM(Processing-In-Memory) 기술을 적용한 제품이다. 메모리 내부에서 데이터를 직접 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서에 전달해 시스템 내 데이터 이동을 최소화한 것이 특징이다.

데이터 이동 과정에서 발생하는 병목 현상을 줄여 성능과 전력 효율을 높일 수 있다. AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC) 등 저전력·고성능이 요구되는 분야에서 활용될 것으로 기대된다.

삼성전자는 오는 6일(현지시간)까지 열리는 FMS 2026에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 스토리지 기술 등을 선보일 예정이다.